Компания Samsung Electronics объявила о начале производства чипов на базе своего 3-нанометрового технологического узла с применением архитектуры транзисторов Gate-All-Around (GAA).

Помогаем

Отметим, архитектура GAAFET, идущая на смену нынешней FinFET, разрабатывается организацией, в которую входят IBM, Globalfoundries и Samsung, с 2000 года. Она должна помочь преодолеть физические ограничения по масштабированию МОП. Главная особенность GAAFET — кольцевые затворы (отсюда и название gate-all-around FET). Каналы транзисторов GAAFET представляют собой нанопровода (они сформированы из нескольких горизонтальных кремниевых «нанолистов»). В то же время канал FinFET транзистора под затвором представляет собой монолитную вертикальную конструкцию «плавник», что и накладывает ограничения по масштабированию.

У Samsung собственная реализация технологии GAAFET, которая носит маркетинговое название Multi-Bridge-Channel FET (MBCFET). На самом деле MBCFET отличается от GAAFET не только названием, но и технически: в случае реализации Samsung каналы выполнены виде плоских «мостиков», а не «проводков».

Как заявляют в Samsung, технология MBCFET преодолевает ограничения производительности FinFET, повышая эффективность энергопотребления за счёт снижения уровня напряжения питания, а также повышая производительность за счет увеличения допустимого тока привода. В запатентованной технологии Samsung используются нанолисты с более широкими каналами, что обеспечивает более высокую производительность и большую энергоэффективность по сравнению с технологиями GAA, использующими нанопроводки с более узкими каналами. Используя 3-нм технологию GAA, Samsung сможет регулировать ширину канала нанолиста, чтобы оптимизировать энергопотребление и производительность для удовлетворения различных потребностей клиентов.

Новая технология будет использоваться для производства полупроводниковых чипов для высокопроизводительных вычислительных приложений с низким энергопотреблением и также планирует расширить её на мобильные процессоры.

Отмечается, что оптимизированный 3-нм техпроцесс обеспечивает снижение энергопотребления на 45%, повышение производительности на 23%, а также меньшую площадь поверхности кристалла на 16% по сравнению с 5-нм техпроцессом.

Дополнительно Samsung сообщает о предоставлении 3-нм проектной инфраструктуры и услуг с партнерами SAFE (Samsung Advanced Foundry Ecosystem), включая Ansys, Cadence, Siemens и Synopsys. Это должно помочь клиентам усовершенствовать свой продукт в кратчайшие сроки.

Источник: videocardz