Примерно год назад Samsung начала производство чипов на техпроцессе SF3E (3 нм), но ни один заказчик чипов не был заметчен в его использовании. Первые такие чипы недавно замечены в ASIC MicroBT Whatsminer M56S++. Устройства ASIC служат для майнинга криптовалют.

О Whatsminer M56S++ известно не так много. Он использует алгоритм SHA-256 и обеспечивает хешрейт 200TH/s~212TH/s, потребляя 5550 Вт от трехфазной сети 380 В. Требования к наибольшей возможной эффективности ASIC делают их хорошим испытательным полигоном для новинок полупроводниковой индустрии. Samsung ничего не говорит об использовании чипов SF3E в ASIC или других сторонних устройствах, но заявляет об их применении в собственной технике.

«Мы массово используем техпроцесс 3 нм первого поколения со стабильным выходом чипов. Основываясь на этом опыте, мы разрабатываем процесс второго поколения, чтобы расширить возможности массового производства».

По сравнению с технологией 5 нм класса Samsung второго поколения (SF5, 5LPP), технология SF3E (также известная как 3GAE) снижает энергопотребление чипов примерно на 45% при сохранении той же сложности и частоты или повышает производительность на 23% с аналогичным количество транзисторов за единицу времени. Кроме того, интегральные схемы 3 нм занимают на 16% меньше площади.

Samsung улучшила показатели выхода годных чипов: до 75% для 4-нм и около 60% для 3-нм техпроцессов

Источник: Tom’s Hardware