Samsung Electronics сообщила о старте серийного производства памяти DRAM DDR5 — южнокорейский производитель сумел первым наладить выпуск 14-нанометровых микросхем DDR5 с использованием литографии в жестком ультрафиолетовом диапазоне (EUV).

JEDEC утвердила финальную спецификацию оперативной памяти DDR5 в июле 2020 года, а в октябре SK Hynix сообщил о выпуске «первых в мире» микросхем памяти DDR5. С тех пор Team Group, Adata и другие производители комплектующих наперебой анонсировали выпуск модулей (DDR5), соревнуясь за первенство.

Инженерам Samsung Electronics удалось нарастить количество слоев EUV до пяти, и добиться наивысшего значения битовой плотности при увеличении общей производительности примерно на 20% в расчете на одну пластину. Кроме того, переход на техпроцесс 14-нм позволил сократить энергопотребление почти на 20% по сравнению с узлом предыдущего поколения.

14-нанометровые микросхемы DDR5 производства Samsung обеспечивают скорость передачи данных до 7,2 Гбит/с на каждый контакт — это вдвое больше, чем у DDR4 (3,6 Гбит/с). С 14-нм памятью DDR5 компания Samsung нацеливается в первую очередь на дата-центры, суперкомпьютеры и корпоративный сегмент, и рассчитывает увеличить плотность до 24 Гбит (стандарт DDR5 предусматривает пиковую плотность 64 Гбит) для удовлетворения быстрорастущих потребности глобальных IT-систем.

Samsung в следующие три года инвестирует 42,8 миллиарда долларов в полупроводниковое направление

***

Близится релиз настольной платформы Intel LGA1700 и процессоров Core 12-го поколения (Alder Lake-S), которые ознаменуют начало эпохи DDR5 в массовом сегменте — их выход ожидается 4 ноября. У AMD первыми настольными процессорами с поддержкой DDR5 станут чипы Raphael (Zen 4) для платформы AM5, чей релиз ожидается в начале 2022 года.

Аналитики прогнозируют, что к 2023 году DDR5 обойдет по поставкам DDR4 и займет больше половины рынка DRAM. Ранее китайская компания Netac нацелилась на «игровую» память DDR5 с частотой более 10 000 МГц — частоты DDR5 начинаются от 4,8 ГГц, а максимальной для первого поколения считается 8,4 ГГц.