Южнокорейский производитель микросхем памяти SK Hynix сообщил об успешной разработке микросхем буферной памяти HBM3 с рекордной в отрасли пропускной способностью.

HBM3 — четвертое поколение многослойной памяти HBM (high-bandwidth memory). Ее можно встретить преимущественно в топовых ускорителях вычислений вроде NVIDIA A100 и AMD M100, предназначенных для дата-центров и суперкомпьютеров.

По сравнению с предыдущим поколением HBM2E, новая HBM3 обеспечивает на 78% большую пропускную способность — до 819 ГБ/с (скорость в расчете на одну линию достигает 6,4 Гбит/с, а всего линий — 1024 штук). Производитель заявляет, что такая скорость позволяет передать 163 фильма в Full HD объемом 5 ГБ каждый всего за секунду.

Фирменная технология вертикальных межкремниевых соединений through-silicon-via (TSV) позволяет создавать модули максимального объема 24 ГБ, упаковывая 12 кристаллов плотностью 16 Гбит каждая в один корпус. Это в 1,5 раза больше, чем в случае памяти HBM2E. Этого удалось достичь, в том числе за счет уменьшения высоты модуля DRAM до 30 микрометров, что соответствует одной трети толщины стандартного листа бумаги A4. Помимо моделей на 24 ГБ также планируется выпуск вариантов объемом 16 ГБ. Также в пресс-релизе упоминается поддержка механизма коррекции ошибок ECC.

SK Hynix не уточняет, когда начнется массовое производство чипов HBM3. Пока что JEDEC официально не утвердила стандарт HBM3. Можно вспомнить, что разработка HBM2E была завершена в августе 2019 года, а массовое производство SK Hynix запустила в июле 2020 года. То есть, первые продукты HBM3 должны поступить в руки клиентов в конце следующего года.